「先端機能デバイス」に関するサイレントキーワード「不揮発メモリ」が含まれる科研費採択研究1件

【研究名】室温で不揮発動作可能な反強磁性/絶縁体-強磁性/金属スイッチング素子の開発
【研究代表者】片瀬 貴義  東京工業大学   科学技術創成研究院   准教授 	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000090648388/