「量子ドット」に関するサイレントキーワード「窒化インジウム」が含まれる科研費採択研究1件

【研究名】GaN系半導体量子ドットの電子構造と発光機構の原子レベルからの解明
【研究代表者】斎藤 敏夫  東京大学   国際・産学共同研究センター   助手 	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000090170513/	 
【研究分担者】
荒川 泰彦  東京大学  先端科学技術研究センター  教授  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000030134638/